《自由時報》春秋大夢寸步難行：砸錢挖角偷師皆無用，傳中國強力扶植的DRAM試產統統宣告慘敗

2017年9月26日 墙外仙 减小字体 / 增大字体 发表评论 阅读评论

〔記者洪友芳／新竹報導〕中國砸大錢補助逾千億人民幣強力扶植半導體業，不僅重金挖角台灣人才，甚至屢傳被高薪挖角者涉嫌偷竊技術；業界傳出，中國宣告要進軍ＤＲＡＭ（動態隨機存取記憶體）的合肥睿力、福建晉華等廠，近期試產皆告慘敗，砸錢挖角卻因技術不足，用偷的根本沒用，中國發展ＤＲＡＭ產業大夢恐寸步難行。

中國近年挖角我ＤＲＡＭ業界人才一波接一波。華亞科前董事長高啟全、前總經理梅國勳紛跳槽紫光集團，華亞科主管與工程師掀起一波出走潮；除紫光外，從華亞科退休的資深副總經理劉大維等一票人跳槽合肥長鑫（睿力集成電路），預計明年切入十九奈米製程生產ＤＲＡＭ；曾任力晶資深副總經理、瑞晶總經理的陳正坤，加入聯電並出任策略合作的福建晉華ＤＲＡＭ廠總經理，聯電接受晉華委託開發ＤＲＡＭ相關製程技術，預計生產三十二奈米製程的ＤＲＡＭ。

但中國半導體砸錢挖人還是不管用，紫光先後對ＤＲＡＭ大廠美光、ＳＫ海力士收購邀約被拒，發展ＤＲＡＭ暫告胎死腹中；紫光已併武漢新芯組成長江存儲，發展三Ｄ儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠，聯電前執行長孫世偉、聯電新加坡廠高階主管林振堂也被網羅，但能否建立自主技術與量產成功，也是未知數。

業界最近傳出，中國宣告要進軍ＤＲＡＭ的合肥睿力、委由聯電開發ＤＲＡＭ相關製程技術的福建晉華等廠，近期試產ＤＲＡＭ皆告失敗，甚至良率出現零的慘狀。

專利、人力雙缺 中國DRAM夢難實現

業界分析，ＤＲＡＭ專利技術門檻高，韓國三星、ＳＫ海力士與美國美光三大ＤＲＡＭ大廠技術防線守得緊、全力圍堵，量產更是打工程人力的團體戰，專利與工程人力兩大條件，中國都欠缺，光靠砸錢挖角，技術卻無著落，用帶槍投靠的「偷」技術方式根本沒用，中國要發展ＤＲＡＭ產業大夢恐難實現。