英特尔研究人员罗布在周三的 “国际电子器件会议“ 宣布：在元素周期表中，硅元素位于第四族，铟位于第三族，锑位于第十五族；当使用这二种元素生产晶体管时，晶体管的速度将比传统硅晶体管快约50%，能耗却要低上10倍，因为铟-锑晶体管中的电子更容易流动。通过用铟-锑化合物取代传统晶体管中的硅通道，英特尔已经制造出了铟-锑晶体管；英特尔希望在2015-2020年能够生产出采用铟-锑晶体管的芯片。