英特尔芯片技术40年来大突破 漏电量将锐减
http://www.sina.com.cn 2007年06月13日 09:29 赛迪网
　　【赛迪网讯】6月13日消息，英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔披露称，它正在使用两种全新的材料制作45纳米晶体管的绝缘层和开关栅。

　　据chinapost.com.tw网站报道，英特尔下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多内核处理器将使用数亿个这种微型晶体管。英特尔称，它有5个早期版本的产品正在运行。这是英特尔计划生产的15个45纳米处理器中的第一个。

　　这种晶体管能够让英特尔继续提供创纪录的台式电脑、笔记本电脑和服务器处理器的速度，同时减少晶体管的漏电量。晶体管漏电影响到芯片和PC设计、尺寸、耗电量、噪声和成本。这个技术还将保证摩尔定律在下一个10年仍然发挥作用。

　　英特尔认为，通过推出可以工作的代号为“Penryn”的45纳米处理器，英特尔已经把它领先于半导体行业其它竞争对手的优势扩大到了一年以上。

　　英特尔是第一个在45纳米技术中采用创新方法把新材料结合在一起的公司。这些新材料将显著减少晶体管的漏电量和提高性能。英特尔将使用一种属性称作“high-k”的新材料制作晶体管栅绝缘体，用一种新的金属材料组合制作晶体管栅电极。

　　英特尔共同创始人Gordon Moore说，采用“high-k”和金属材料标志着自从60年代末推出多晶硅栅MOS晶体管以来晶体管技术的一个最大的变化。

　　英特尔高级研究员Mark Bohr说，在45纳米工艺技术中采用“high-k”和金属栅晶体管将使英特尔能够提供速度更快、更节能多内核产品，把摩尔定律延续到下一个10年。

　　作者：天虹