英特尔提高固态磁盘储存容量挑战三星
出处：比特网　作者：他山石　2008-03-09 10:17　评论
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今年第二季度英特尔将推出高储存容量固态磁盘挑战这一市场的领先厂商三星电子、东芝和晨碟。

　　比特网(ChinaByte)3月9日消息(他山石 编译)据国外媒体报道，今年第二季度英特尔将推出高储存容量固态磁盘挑战这一市场的领先厂商三星电子、东芝和晨碟。

　　英特尔NAND闪存部门市场经理Troy Winslow表示，目前英特尔采用小容量、芯片级技术提供固态磁盘终端产品的储存容量为16GB，但今年第二季度，我们固态磁盘的储存容量将获得重大突破，1.8英寸和2.5英寸的储存容量将提高到80GB至160GB。

　　目前三星电子发货的固态磁盘储存容量为64GB，该公司表示今年第三季度它的固态磁盘的储存容量可以提高到128GB。

　　在新的竞争中，固态磁盘读取和书写数据的速度将大幅度提升，目前三星固态磁盘读取数据的速度为每秒100MB，英特尔的固态磁盘基于SATA II规格，提供的速度可以达到每秒3GB。

　　在英特尔与美光的合资闪存/固态磁盘工厂中，目前采用了先进的50纳米制造技术，它们计划今年晚期将转移为更先进的40纳米制造技术。