内存小参对集成显卡性能的影响
http://bbs.ocer.net/thread-139634-1-9.html

下午跟石头聊天，石头跟我提了一下内存小参对集成显卡影响的问题。我觉得这个问题挺有趣，吃了晚饭6点开始就着手测试

因为对集成显卡影响最大的是HT频率而非U频率（经过之前多位网友测试），故外频只设为270。
此时SP2800主频为2161，HT频率1080，内存720，参数调节软件是Memset 3.2，3D测试软件是3Dmark03

在测小参之前，还是要测一测大参，毕竟影响最大的还是大参。
大参顺序为tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR

最开始的默认参数是5-5-5-18 2T，此时成绩是1341（设为初始值）

第二次设置的参数是优化参数4-4-4-8 1T，成绩提高到了1389，提高48分

然后再试一试CL值的影响。在4-5-5-18 2T下，成绩为1355，与初始值相比提高14分

其他大参的单独影响就没测（实在是太费时间了…… ）

下面是重点的小参。

根据Memset3.2界面显示，小参有如下选项

Row Cycle time(tRC)
调节范围：11~26
此参数用来控制内存的行周期时间，决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是tRC=tRP+tRAS

Refresh Mode Select
调节范围：3.9/7.8/15.6us
中文名称刷新模式选择。由于DRAM保存的内容需要不断刷新才能够保持，因此延长刷新间隔可以提高内存的性能。
默认值为7.8us，选择15.6us会提高性能

Ras# to Ras# Delay (tRRD)
调节范围：2~5
此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电实现。延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。

Read to Precharge (tRTP)
调节范围：2~3
内存预充电时间（在网上没找到更全的介绍，有知道的朋友请指教 ）

Idle Cycle Limit
调节范围：0、4、8、16、32、64、128、256
此参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值，也就是读一个内存页面之前重新充电的最大时间

Write Recovery time (tWR)
调节范围：3~6
此参数表示在一个内存BANK被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。此延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电。

Write to Read Delay (tWTR)
调节范围：1~3
此参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一BANK中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期

Read to Write Delay (tRTW)
调节范围：2~9
此参数不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。

Read/Write Queue Bypass
调节范围：2x/4x/8x/16x
此参数表示在判忧器复写和最后一个操作选择之前，DCI（Device control Interface）的读/写队列的操作时间。默认值16X为性能最好参数。

Queue Bypass Max
调节范围：1~15
此项参数表示判优器选择否决之前，进入DCQ（Dependence Chain Que）的迂回时间。貌似这个参数会影响内存到CPU的连接。

Max. Asynchrone Latency
调节范围：1~15us
还没有任何关于此参数的说明

以上均摘自远望资讯出版的《超频特辑》
估计有些朋友看着该眼晕了吧，说实话我也眼晕 ，而且还没吃透。不过为了测试，也得看着。

不过这么多小参，逐个测了一遍，发现对3D性能有影响的只有三个参数：tRC、tWR和tRTW。
小参测试时大参设定为4-4-4-8 1T，此时的基础分数为1389。

tRC从默认的26设为12，成绩涨到了1420，增加分数31分。与最开始的初始值1341比较，更是增长了79分
可以看出，此参数影响巨大，强烈建议大家调整此参数

在tRC=12的基础上，把tWR从默认的5设为3，成绩为1425，提高了5分

而tRTW有点意思，在只更改此参数的情况下（由4设为3），成绩没有任何提高，而在tWR=3的基础上调整为3时，达到了1429分，整体提高了9分。原以为是误差，就又测了一遍，还是如此。应该是这两个参数有内在联系吧。

可以看到，小参中除了tRC以外对3D的影响并不大，所以如果想改善集成显卡的3D性能，除了调整那些大参以外，也留意一下tRC吧，调整调整会带来一点看得到的改善呢（分数上的 ）

至此，经过一番优化，分数从最开始的1341提高到1429，总增长88分（数字到挺吉利的）
作为对比，给大家个参考（下面的分数是GPU频率475时的分数，此帖是在425的情况下）：

CPU频率 HT频率 内存频率 03分数
2000 1000 667 1449
2800 1050 700 1530
怎么样，稍改改内存比超U来得省事儿吧，而且还省电





至于如何更改呢？在这之前，必须要了解这软件的脾性
1）这软件的默认最高外频为266，用这软件超频超过266会当机 (解释了之前的问题2)
2）外频超过266,开这软件会造成死机(解释了之前的问题1)

开始之前，还有点东西补充。
1）要用这软件，首先你必须要对你的机子的超频性能了如指掌。（比方说内存或U超到某个频率需要加多少电压等）
2）要开启这软件，最好是在默认频率下。

在这里，笔者有两个建议。
1)初次使用时，内存最好用400档
2)先在BIOS将HT Multiplier 换为 3X 或以下

好啦 ，开始了。首先看看BSpanel.ini里的数据

[Overclock]
DefaultCPUVoltage=0
DefaultCPUClock=200
HWDefCPUClk=200
SystemHangup=
InWatch=0
SafeFreq=200

比方说笔者要将外频加到280,电压加上1.350v.于是将BSpanel.ini 里的数据改为：

[Overclock]
DefaultCPUVoltage=1.350
DefaultCPUClock=280
HWDefCPUClk=200
SystemHangup=
InWatch=0
SafeFreq=280

改完后，关闭时记得储存。然后再开启软件

稍等片刻，软件开启了。成功了！外频已经变成280了！慢着,怎么电压没变？还是1.280v? 用CPU-Z检查了电压，也是1.280v.回头一想，好险！若是笔者的U默电不能上280岂不是当机了? (这里主要是要制造紧张气氛,其实笔者在测试过程中已经当机了n次.... )

在这里笔者又有个建议,
1)首先开启软件,默认频率下把电压加到理想中的电压,关闭软件
2)这时才打开Bspanel.ini, 修改里面的数据.但是电压别改.
3)再度开启软件,这时候的电压和外频都是理想中的了.

若把SystemHangup=改为SystemHangup=1,会将设置改回默认.


教程就到此为止.

也许有人会问笔者,这软件那么麻烦,干吗要用它?

在笔者眼中,这软件的优点是:
1)在Tforce 6100am2的主板上,U的最高电压被限制为1.55v.唯有通过这软件才能突破这限制.硬改也不行.
2)在TF 7050-M2的主板上,目前依然不能使用Clockgen.想要在windows里超频就得靠它了.

笔者所知的Bugs

1) CPU Ratio 不支持0.5倍频,改了会当机
2)开了这软件后,开Clockgen无效.(在XP下而已.在vista里因为安装不妥,某些文件不见了,这软件反而能和clockgen和平相处)
3)只要DefaultCPUVoltage不是0,这软件能不断地往上加电压.....
4)这软件默认外频极限是266.
5)内存电压乃鸡肋一个,不能太高也不能再低.
6)加外频需要1MHz逐步加上,太麻烦了!(还是clockgen好,呵呵 )
7)加外频可别猴急哦.加得太快会当机!